Tight-binding method modelling of photonic crystal waveguides

We present here a tight-binding-like modelling of two-dimensional (2D) photonic crystals (PCs). Adopted from solid-state physics, the concept of generalized Wannier functions is used to construct a localized state basis that allows a parameter-free ab initio study of defects in PCs. We demonstrate here for a 2D triangular lattice of dielectric rods in air, the existence of this localized basis and the possibility to study large scale complex dielectric structures deviating from periodicity. Specific numerical simulations on a split waveguide embedded in this triangular lattice are performed, and they demonstrate the superiority of this method over plane wave based techniques.     

C波段平面异向介质设计及其后向波特性验证

提出了一种工作在C波段的新型平面结构异向介质，它除了带宽宽和损耗小外，还具有体积小、结构简单的优点，而且能够实现工作频段的平移，频率平移范围为4—20 GHz.基于电磁波由自由空间入射半无限大异向介质平板的传输和反射数据，计算出了电波在其中传播时的相速随频率的变化曲线，结果表明所讨论的异向介质确实在预想的频段上表现出后向波特性；同时利用相位观察法进一步验证了上述的后向波特性，从而肯定了异向介质的存在. 关键词： 异向介质 宽频带 小单元 后向波特性     

0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

微扫描技术对光电图像混淆噪声的影响

在分析采样理论和微扫描理论的基础上,引入了一个评价光电成像系统混淆噪声的品质因数,定量地分析了不同模式的微扫描对系统混淆噪声的改善程度。     

PPLT倍频宽线宽掺镱双包层光纤放大激光

分别通过理论和实验研究了周期性极化的钽酸锂（PPLT）倍频宽线宽准连续掺镱双包层光纤放大激光.PPLT样品长为40 mm，极化周期为7.67 μm.基频光的中心波长为1064 nm，线宽约为6 nm.从基频光的光谱特性出发，利用超晶格倍频理论，解释了实验中获得的倍频温度与二次谐波功率之间的关系.在基频光的功率为2.2 W时，获得的宽线宽光纤激光倍频效率为1.8%.     

Variation of interband interaction strength in odd-A nuclei

Bandcrossing in 31 rotational bands of 25 different odd-A nuclei in the rare-earth region has been analysed by using a two-band mixing formalism with a constant band interaction within the framework of the effective decoupling picture. The interband interaction strengthV between the one-quasiparticle band and the three-quasiparticle band exhibits a variation with the neutron number which is not different from the oscillatory behaviour observed in even-even nuclei and does not show signs of any appreciable phase shifting as predicted by theory. However, the overall range of variation ofV is greater than that observed in even-even systems.     

126Cs的高自旋态能级结构

利用融合蒸发反应¹¹⁶Cd(¹⁴N,4n)¹²⁶Cs布居了¹²⁶Cs的高自旋态.观测到了100多条新的γ跃迁和相应的能级,建立了双奇核¹²⁶Cs由9个转动带构成的能级纲图.尝试性地指定了大部分能级的自旋和宇称以及各转动带的Nilsson单粒子组态.极大地丰富了已有的实验结果.     

一维应变压缩下TC4钛合金绝热剪切研究

 利用内径为57 mm的压缩气炮，在撞击速度为0.2~1.2 km/s（相应的靶中压力为3~15 GPa）范围内进行对称碰撞实验，以研究TC4（Ti-Al6-V4）钛合金在一维应变冲击压缩条件下的绝热剪切现象。对回收得到的受冲击样品，在扫描电镜（SEM）下进行细观金相分析。结果指出，一维应变冲击压缩条件下，TC4钛合金中绝热剪切带产生的对称碰撞速度阈值为500 m/s（相当于样品中的压力为5.87 GPa）；主剪切带与冲击方向约为45°角，带上有圆形和椭圆形两种孔洞且随碰撞速度的增大而增多和长大，这是典型的韧性损伤特征。随碰撞速度增大，产生与主剪切带成15°角的支剪切带。这些与理论预言相符。X射线能谱分析结果指出，剪切带内材料发生了(α+β)→β相的转变，是典型的相变带。剪切带的温度估算与实验提供的信息吻合。     

全同超形变带转动惯量的粒子数守恒计算

利用推转壳模型的粒子数守恒方法计算了超形变(SD)转动带¹⁹²Hg和¹⁹⁴Hg(1,2,3)的带首转动惯量.分析了带首附近的组态结构及带首转动惯量随对力强度的变化.带首转动惯量之差δJ₀对对力强度十分敏感,而对Nilsson能级参数K、μ及形变参数并不敏感.对力及堵塞效应是造成带首转动惯量差别的主要因素.但与正常形变核相比,对力强度似有较大程度减弱.     

传输线中脉冲信号反射波的测量和应用

将高频单脉冲信号输入同轴电缆，借助数字存储示波器记录输入、输出端的波形和相对延时，可以测量传输线的电缆长度和衰减系数，同时观察脉冲波形因色散引起的畸变．